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斯新式预相关工作发表在国际顶级能源材料期刊Energy StorageMaterials（EnergyStorageMater.10(2018):130-138）。片美（c）制得的原始SnSe样品。由于普通硒化锡半导体中空穴为多数载流子，布正n型多晶硒化锡块体一般较难实现。

SnSe作为一种典型的半导体热电材料，阿汤拥有如下特点：阿汤（1）在~800 K发生相变，从正交Pnma结构变为正交Cmcm结构，（2）具有较高的载流子浓度，并能够通过引入空位进一步提高载流子浓度。哥汤国制告（g）其在SnSe-plane的线扫结果。

克鲁（d）烧结块体的HREM和SAED。

该团队通过溶剂热法第一次实现了肉眼可观察的近毫米级SnSe单晶片，斯新式预如图2所示，其平均尺寸为100微米以上，最大尺寸可达到约1毫米。在商业面前，片美科技与创新，成为星港家居最闪光的标签。

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